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ZVN2110GTA /MOSFET N-Chnl 100V
ZVN2110GTA的规格信息
ZVN2110GTA的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:500 mA

Rds On-漏源导通电阻:4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.65 mm

长度:6.7 mm

系列:ZVN2110

晶体管类型:1 N-Channel

类型:FET

宽度:3.7 mm

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:250 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:8 ns

典型接通延迟时间:4 ns

单位重量:112 mg

供应商ZVN2110GTA
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深圳市辉华拓展电子有限公司ZVN2110GTA深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市芯幂科技有限公司ZVN2110GTA深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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18938047708/18938048779
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深圳市全秀电子有限公司ZVN2110GTA东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
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深圳市成源运利电子科技有限公司ZVN2110GTA深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
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芯莱德电子(香港)有限公司ZVN2110GTA深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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13352985419
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深圳市河锋鑫科技有限公司ZVN2110GTA华强北都会轩26010755-23903154
13430590551
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深圳市高捷半导体有限公司ZVN2110GTA深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549
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深圳市科思奇电子科技有限公司ZVN2110GTA上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
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深圳市毅创腾电子科技有限公司ZVN2110GTA深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市辉华拓展电子有限公司ZVN2110GTA深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城ZVN2110GTA深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司ZVN2110GTA龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市百域芯科技有限公司ZVN2110GTA世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司ZVN2110GTA深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市大源实业科技有限公司ZVN2110GTA深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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深圳市宇浩扬科技有限公司ZVN2110GTA深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
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深圳市瑞浩芯科技有限公司ZVN2110GTA深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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ZVN2110GTAMOSFET N-Channel 100V 0.5A SOT223Diodes IncDiodes Inc的LOGO712.59 Kbytes共6页ZVN2110GTA的PDF下载地址
ZVN2110GTA连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.4V @ 1mA 漏源导通电阻:4Ω @ 1A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道DIODES(美台)DIODES(美台)的LOGO538.88 Kbytes共6页ZVN2110GTA的PDF下载地址
ZVN2110GTAMOSFET N-CH 100V 500MA SOT223Diodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO712.59 Kbytes共6页ZVN2110GTA的PDF下载地址
ZVN2110GTA的全球分销商及价格
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Allied Electronics
ZVN2110GTADiodes IncMOSFET N-Channel 100V 0.5A SOT223+50:$0.61
+200:$0.54
+500:$0.48
+1000:$0.44
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Arrow(艾睿)
ZVN2110GTADIODES ZETEX1000+:¥2.72
2000+:¥2.55
5000+:¥2.42
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10+:¥4.3301
25+:¥4.12
100+:¥3.48
250+:¥3.28
500+:¥2.6899
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ChipOneStop
ZVN2110GTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Chnl 100V1000+:¥2.72
2000+:¥2.55
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Digi-Key 得捷电子
ZVN2110GTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Chnl 100V1000+:¥2.72
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Future(富昌)
ZVN2110GTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Chnl 100V1000+:¥2.72
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Mouser 贸泽电子
ZVN2110GTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Chnl 100V1000+:¥2.72
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
ZVN2110GTADiodes IncorporatedMOSFET N-Chnl 100V1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
ZVN2110GTADIODES ZETEX1000+:¥2.72
2000+:¥2.55
5000+:¥2.42
10000+:¥2.3301
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立创商城
ZVN2110GTADIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.4V @ 1mA 漏源导通电阻:4Ω @ 1A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道1+:¥2.92
10+:¥2.16
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