Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：4,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：200mA

Rds（最大）@ ID，VGS：10 Ohm @ 500mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：2.4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：-

输入电容（Ciss）@ Vds的：40pF @ 25V

功率 - 最大：625mW

安装类型 ：Through Hole

包/盒 ：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装：TO-92-3

包装材料 ：Bulk

包装：3E-Line

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：100 V

最大连续漏极电流：0.2 A

RDS -于：10000@10V mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：5(Max) ns

典型上升时间：7(Max) ns

典型关闭延迟时间：6(Max) ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Through Hole

标准包装：Bulk

最大门源电压：±20

欧盟RoHS指令：Compliant

最高工作温度：150

标准包装名称：TO-92

包装高度：4.01(Max)

最大功率耗散：625

渠道类型：N

最大漏源电阻：10000@10V

最低工作温度：-55

最大漏源电压：100

每个芯片的元件数：1

包装宽度：2.41(Max)

供应商封装形式：E-Line

包装长度：4.77(Max)

PCB：3

最大连续漏极电流：0.2

引脚数：3

铅形状：Through Hole

单位包：4000

最小起订量：4000

FET特点：Logic Level Gate

封装：Bulk

安装类型：Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：200mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：2.4V @ 1mA

供应商设备封装：TO-92-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：10 Ohm @ 500mA, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：625mW

漏极至源极电压（Vdss）：100V

输入电容（Ciss ） @ VDS：40pF @ 25V

封装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：4000

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

配置：Single

源极击穿电压：+/- 20 V

连续漏极电流：200 mA

安装风格：Through Hole

RDS（ON）：10 Ohms

功率耗散：625 mW

最低工作温度：- 55 C

封装/外壳：TO-92

上升时间：7 ns

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：100 V

RoHS：RoHS Compliant

下降时间：7 ns

Continuous Drain Current Id：:200mA

Drain Source Voltage Vds：:100V

On Resistance Rds(on)：:10ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：:10V

Threshold Voltage Vgs：:2.4V

功耗：:625mW

Operating Temperature Min：:-55°C

Operating Temperature Max：:150°C

Transistor Case Style：:E-Line

No. of Pins：:3

MSL：:MSL 1 - Unlimited

SVHC：:No SVHC (20-Jun-2013)