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ZVN3306ASTZ /MOSFET N-Chnl 60V
ZVN3306ASTZ的规格信息
ZVN3306ASTZ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:270 mA

Rds On-漏源导通电阻:5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:625 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Bulk

高度:4.01 mm

长度:4.77 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:ZVN3306

晶体管类型:1 N-Channel

类型:FET

宽度:2.41 mm

商标:Diodes Incorporated

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:6 ns

典型接通延迟时间:5 ns

单位重量:453.600 mg

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ZVN3306ASTZDIODES ZETEX2000+:¥2.061+:¥4.64
10+:¥3.6
100+:¥2.3301
1000+:¥2.1
2000+:¥1.93
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10+:¥3.6
100+:¥2.3301
1000+:¥2.1
2000+:¥1.93
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10000+:¥1.91
24000+:¥1.8399
50000+:¥1.81
100000+:¥1.781+:¥2.71
1000+:¥2.58