Rohs：Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装：4,000

晶体管类型：PNP

- 集电极电流（Ic）（最大）：1A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：200V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：300mV @ 10mA, 100mA

电流 - 集电极截止（最大）：-

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：50 @ 300mA, 10V

功率 - 最大：1W

频率转换：100MHz

安装类型 ：Through Hole

包/盒 ：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装：TO-92-3

包装材料 ：Bulk

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：1A

晶体管类型：PNP

安装类型：Through Hole

频率 - 转换：100MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：300mV @ 10mA, 100mA

标准包装：4,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：200V

供应商设备封装：E-Line (TO-92 compatible)

封装：Bulk

功率 - 最大：1W

封装/外壳：E-Line-3

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：50 @ 300mA, 10V

工厂包装数量：4000

增益带宽产品fT：100 MHz

产品种类：Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：PNP

发射极 - 基极电压VEBO：- 5 V

最大功率耗散：1 W

直流集电极/增益hfe最小值：50 at 10 mA at 10 V, 50 at 300 mA at 10 V

直流电流增益hFE最大值：50 at 10 mA at 10 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：- 200 V

安装风格：Through Hole

集电极 - 基极电压VCBO：- 200 V

最低工作温度：- 55 C

集电极最大直流电流：1 A

配置：Single

最高工作温度：+ 150 C

RoHS：In Transition

连续集电极电流：- 1 A