Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：2,000
晶体管类型：PNP
- 集电极电流（Ic）（最大）：200mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：400V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：500mV @ 6mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大）：100nA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：100 @ 50mA, 10V
功率 - 最大：1W
频率转换：50MHz
安装类型
：Through Hole
包/盒
：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装：TO-92-3
包装材料
：Tape & Box (TB)
包装：3E-Line
类型：PNP
引脚数：3
最大集电极发射极电压：400 V
集电极最大直流电流：0.2 A
最小直流电流增益：100@1mA@10V|100@50mA@10V|15@100mA@10V
最大工作频率：50(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压：0.2@2mA@20mA|0.5@6mA@50mA V
工作温度：-55 to 200 °C
最大功率耗散：1000 mW
安装：Through Hole
标准包装：Ammo Pack
单位包：2000
最小起订量：2000
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：200mA
晶体管类型：PNP
安装类型：Through Hole
频率 - 转换：50MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：500mV @ 6mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大）：100nA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：400V
供应商设备封装：E-Line (TO-92 compatible)
封装：Tape & Box (TB)
功率 - 最大：1W
封装/外壳：E-Line-3, Formed Leads
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：100 @ 50mA, 10V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：2000
集电极 - 发射极饱和电压：- 0.5 V
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性：PNP
发射极 - 基极电压VEBO：- 5 V
直流集电极/增益hfe最小值：100 at 1 mA at 10 V, 100 at 50 mA at 10 V, 15 at 100 mA at 10 V
直流电流增益hFE最大值：100 at 1 mA at 10 V
增益带宽产品fT：50 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO：- 400 V
安装风格：Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO：- 400 V
最低工作温度：- 55 C
配置：Single
最高工作温度：+ 150 C