标准包装：4,000
晶体管类型：PNP
集电极电流（Ic）（最大）：1A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：250mV @ 15mA, 150mA
电流 - 集电极截止（最大）：-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：40 @ 150mA, 10V
功率 - 最大：1W
频率转换：150MHz
安装类型
：Through Hole
包/盒
：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装：TO-92-3
包装材料
：Bulk
动态目录：PNP Transistors###/catalog/en/partgroup/pnp-transistors/15177?mpart=ZTX553&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0
包装：3E-Line
类型：PNP
引脚数：3
最大集电极发射极电压：100 V
集电极最大直流电流：1 A
最小直流电流增益：40@150mA@10V|10@1A@10V
最大工作频率：150(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压：0.25@15mA@150mA V
最大集电极基极电压：120 V
工作温度：-55 to 200 °C
最大功率耗散：1000 mW
安装：Through Hole
标准包装：Bulk
集电极最大直流电流：1
最低工作温度：-55
Maximum Transition Frequency ：150(Min)
包装宽度：2.41(Max)
PCB：3
最大功率耗散：1000
欧盟RoHS指令：Compliant
每个芯片的元件数：1
最大集电极基极电压：120
最大集电极发射极电压：100
供应商封装形式：E-Line
标准包装名称：TO-92
最高工作温度：200
包装长度：4.77(Max)
包装高度：4.01(Max)
最大基地发射极电压：5
铅形状：Through Hole
单位包：4000
最小起订量：4000
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：1A
晶体管类型：PNP
安装类型：Through Hole
频率 - 转换：150MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：250mV @ 15mA, 150mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
供应商设备封装：E-Line (TO-92 compatible)
封装：Bulk
功率 - 最大：1W
封装/外壳：E-Line-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：40 @ 150mA, 10V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：4000
集电极 - 发射极饱和电压：- 0.3 V
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性：PNP
发射极 - 基极电压VEBO：- 5 V
直流集电极/增益hfe最小值：40 at 150 mA at 10 V, 10 at 1 A at 10 V
直流电流增益hFE最大值：40 at 150 mA at 10 V
增益带宽产品fT：150 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO：- 100 V
安装风格：Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO：- 120 V
最低工作温度：- 55 C
配置：Single
最高工作温度：+ 150 C
RoHS：RoHS Compliant
连续集电极电流：- 1 A
集电极电流（DC ）：1 A
集电极 - 基极电压：120 V
集电极 - 发射极电压：100 V
发射极 - 基极电压：5 V
频率：150 MHz
功率耗散：1 W
工作温度范围：-55C to 200C
包装类型：E-Line
元件数：1
直流电流增益：40