Rohs：Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装：4,000
晶体管类型：PNP
- 集电极电流（Ic）（最大）：1A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：350mV @ 15mA, 150mA
电流 - 集电极截止（最大）：-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：50 @ 150mA, 10V
功率 - 最大：1W
频率转换：150MHz
安装类型
：Through Hole
包/盒
：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装：TO-92-3
包装材料
：Bulk
包装：3E-Line
类型：PNP
引脚数：3
最大集电极发射极电压：60 V
集电极最大直流电流：1 A
最小直流电流增益：50@150mA@10V|10@1A@10V
最大工作频率：150(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压：0.35@15mA@150mA V
最大集电极基极电压：80 V
工作温度：-55 to 200 °C
最大功率耗散：1000 mW
安装：Through Hole
标准包装：Bulk
单位包：4000
最小起订量：4000
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：1A
晶体管类型：PNP
安装类型：Through Hole
频率 - 转换：150MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：350mV @ 15mA, 150mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
供应商设备封装：E-Line (TO-92 compatible)
封装：Bulk
功率 - 最大：1W
封装/外壳：E-Line-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：50 @ 150mA, 10V
RoHS指令：Contains lead / RoHS non-compliant
工厂包装数量：6000
集电极 - 发射极饱和电压：- 0.35 V
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性：PNP
发射极 - 基极电压VEBO：- 5 V
直流集电极/增益hfe最小值：50 at 150 mA at 10 V, 10 at 1 A at 10 V
直流电流增益hFE最大值：50 at 150 mA at 10 V
增益带宽产品fT：150 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO：- 60 V
安装风格：Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO：- 80 V
最低工作温度：- 55 C
配置：Single
最高工作温度：+ 150 C
RoHS：RoHS Compliant
连续集电极电流：- 1 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo：:60V
Transition Frequency ft：:150MHz
功耗：:1W
DC Collector Current：:1A
DC Current Gain hFE：:50
Operating Temperature Min：:-55°C
Operating Temperature Max：:200°C
Transistor Case Style：:E-Line
No. of Pins：:3
MSL：:-
SVHC：:No SVHC (20-Jun-2013)
Collector Emitter Voltage Vces：:350mV
连续集电极电流Ic最大：:1A
Current Ic @ Vce Sat：:150mA
Current Ic Continuous a Max：:1A
Current Ic hFE：:150mA
Gain Bandwidth ft Min：:150MHz
Gain Bandwidth ft Typ：:150MHz
Hfe Min：:50
No. of Transistors：:1
工作温度范围：:-55°C to +200°C
引脚配置：:e