WFF7N65L
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.45Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道
WFF7N65L的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.45Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)40W(Tc)
类型N沟道
WFF7N65L
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 立创商城 | WFF7N65L | Winsemi(稳先微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.45Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.8569 10+:¥1.3821 30+:¥1.2949 100+:¥1.2077 500+:¥1.1689 1000+:¥1.1498
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