WFF2N65L
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道
WFF2N65L的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)25W(Tc)
类型N沟道
WFF2N65L
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WFF2N65L | Silicon N-Channel MOSFET | WINSEMI[Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd] | ![WINSEMI[Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/847WINSEMI.GIF) | 297.72 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
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