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WFF2N65L /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道
WFF2N65L的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻5Ω @ 1A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)25W(Tc)

类型N沟道

供应商WFF2N65L
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WFF2N65LWinsemi(稳先微)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道1+:¥0.9597
10+:¥0.7098
30+:¥0.6639
100+:¥0.618
500+:¥0.5976
1000+:¥0.5875