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WFD7N65L /连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.45Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道
WFD7N65L的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻1.45Ω @ 3.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)40W(Tc)

类型N沟道

供应商WFD7N65L
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WFD7N65L连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.45Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道Winsemi(稳先微)Winsemi(稳先微)的LOGO333.95 Kbytes共8页WFD7N65L的PDF下载地址
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WFD7N65LWinsemi(稳先微)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.45Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.6962
10+:¥1.3064
30+:¥1.2348
100+:¥1.1632
500+:¥1.1313
1000+:¥1.1156