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WFD2N65L /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道
WFD2N65L的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻5Ω @ 1A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)35W(Tc)

类型N沟道

供应商WFD2N65L
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集好芯城WFD2N65L深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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WFD2N65L连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道Winsemi(稳先微)Winsemi(稳先微)的LOGO255.12 Kbytes共8页WFD2N65L的PDF下载地址
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WFD2N65LWinsemi(稳先微)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道5+:¥0.742744
50+:¥0.55282
150+:¥0.517936
500+:¥0.483052
2500+:¥0.467548
5000+:¥0.459887