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VS-GT80DA120U /分立半导体模块 1200V, 80A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
VS-GT80DA120U的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:分立半导体模块

RoHS:

产品:Diode Power Modules

类型:IGBT Module

Vf - 正向电压:2.9 V

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-227-4

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

商标:Vishay Semiconductors

晶体管极性:N-Channel

下降时间:155 ns

Pd-功率耗散:658 W

产品类型:Discrete Semiconductor Modules

上升时间:65 ns

工厂包装数量:10

子类别:Discrete Semiconductor Modules

典型关闭延迟时间:281 ns

典型接通延迟时间:134 ns

Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V

供应商VS-GT80DA120U
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