制造商:Vishay

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:DIAP

安装风格:Chassis Mount

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:-

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:580 A

Pd-功率耗散:1.136 kW

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

集电极最大连续电流 Ic:580 A

商标:Vishay Semiconductors

栅极—射极漏泄电流:+/- 500 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:12

子类别:IGBTs