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VS-GP400TD60S /IGBT 晶体管 Ic 400A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PT
VS-GP400TD60S的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:DIAP

安装风格:Chassis Mount

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:-

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:758 A

Pd-功率耗散:1.563 kW

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

集电极最大连续电流 Ic:758 A

商标:Vishay Semiconductors

栅极—射极漏泄电流:+/- 750 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:12

子类别:IGBTs

供应商VS-GP400TD60S
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