制造商:Vishay

产品种类:IGBT 模块

配置:Half Bridge

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.9 V

在25 C的连续集电极电流:221 A

栅极—射极漏泄电流:600 nA

Pd-功率耗散:600 W

封装 / 箱体:INT-A-PAK

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

商标:Vishay Semiconductors

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:24

子类别:IGBTs