制 1000 造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:150 mA

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:7.5 Ohms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:400 mW

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:SOT-23-3

封装:Ammo Pack

商标:ON Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

最小工作温度:- 55 C

典型关闭延迟时间:10 ns

典型接通延迟时间:10 ns