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VN2110K1 / MOSFET 100V 4Ohm
VN2110K1的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:否

商标:Microchip Technology

Id-连续漏极电流:200 mA

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Rds On-漏源导通电阻:4 Ohms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 mW

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:5 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:5 ns

工厂包装数量:3000

典型关闭延迟时间:6 ns

典型接通延迟时间:3 ns

单位重量:8.200 mg

供应商VN2110K1
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深圳市成源运利电子科技有限公司VN2110K1深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司VN2110K1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司VN2110K1-G深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市赛美科科技有限公司VN2110K1广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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芯莱德电子（香港）有限公司VN2110K1-G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司VN2110K1-G深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市宸远科技有限公司VN2110K1深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
19068068798，15338712396		彭先生，许娜Email:3004325620@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司VN2110K1深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司VN2110K1-G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市河锋鑫科技有限公司VN2110K1-G华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市高捷半导体有限公司VN2110K1-G深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司VN2110K1-G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市科思奇电子科技有限公司VN2110K1-G上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市毅创腾电子科技有限公司VN2110K1-G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市辉华拓展电子有限公司VN2110K1-G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城VN2110K1-G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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集好芯城VN2110K1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市芯泽盛世科技有限公司VN2110K1-G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市星宇佳科技有限公司VN2110K1深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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VN2110K1N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs SUTEX[Supertex, Inc]SUTEX[Supertex, Inc]的LOGO457.83 Kbytes共4页VN2110K1的PDF下载地址TN0620,VN0106NE,TN1506,TN0702,VN0204N6,TN2106,VN1550,VN0650,TN2124,VN2210
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VN2110K1的全球分销商及价格
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Allied Electronics		VN2110K1-GMicrochip Technology IncMOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 100V, 4.0 Ohm3 SOT-23 T/R1 : $0.48
25 : $0.4
100 : $0.36
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		VN2110K1-GMicrochip Technology Inc.MOSFET; N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE; 100V; 4.0 Ohm3 SOT-23T/R+3000:$0.52
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Am2		VN2110K1-GSupertex半导体 MOSFET 100V 4Ohm3000+:￥2.631+:￥3.36
10+:￥2.78
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100+:￥2.091+:￥3.1799
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100+:￥2.6
250+:￥2.39
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1000+:￥2.05
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Master Electronics		VN2110K1-GSupertex Inc250 : $0.277
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3,000:¥1.7741
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Mouser 贸泽电子		VN2110K1-GMicrochip3000+:￥2.631+:￥3.36
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Newark element14		VN2110K1-GMicrochip Technology Inc*** CHECK OUT OUR CYBER WEEK DEALS *** MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 100V, 4.0 Ohm, 3 SOT-23 T/R1 : $0.48
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Onlinecomponents		VN2110K1-GSupertex半导体 MOSFET 100V 4Ohm3000+:￥2.631+:￥3.36
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Onlinecomponents.com		VN2110K1-GSupertex IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin SOT-23
RoHS : Compliant		250 : $0.277
500 : $0.257
1,000 : $0.24
3,000 : $0.225
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Quest Components		VN2110K1Supertex Inc 200 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB890 : $0.195
161 : $0.225
1 : $0.75
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立创商城		VN2110K1-GMICROCHIP(美国微芯)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.4V @ 1mA 漏源导通电阻：6Ω @ 75mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW(Tc) 类型：N沟道1+:￥4.64
10+:￥3.42
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100+:￥2.98
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1000+:￥2.83
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