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VN2010L / MOSFET 200V 0.19A 0.8W
VN2010L的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:190 mA

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Rds On-漏源导通电阻:10 Ohms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :30 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:800 mW

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:SOT-23-3

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single

最小工作温度:- 55 C

工厂包装数量:500

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