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VN2222LL-G /MOSFET 60V 7.5Ohm
VN2222LL-G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:230 mA

Rds On-漏源导通电阻:7.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Bulk

高度:5.33 mm

长度:5.21 mm

晶体管类型:1 N-Channel

类型:FET

宽度:4.19 mm

商标:Microchip Technology

正向跨导 - 最小值:100 mmho

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

单位重量:453.600 mg

供应商VN2222LL-G
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深圳市辉华拓展电子有限公司VN2222LL-G深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市芯幂科技有限公司VN2222LL-G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13480875861
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13352985419
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13380394549
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VN2222LL-G连续漏极电流(Id)(25°C 时):230mA(Tj) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 200mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W(Tc) 类型:N沟道MICROCHIP(美国微芯)MICROCHIP(美国微芯)的LOGO543.77 Kbytes共3页VN2222LL-G的PDF下载地址
VN2222LL-GMicrochip VN2222LL-G N-channel MOSFET Transistor; 0.23 A; 60 V; 3-Pin TO-92Microchip Technology Inc.Microchip Technology Inc.的LOGO357.86 Kbytes共3页VN2222LL-G的PDF下载地址
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VN2222LL-GMicrochip Technology Inc.Microchip VN2222LL-G N-channel MOSFET Transistor; 0.23 A; 60 V; 3-Pin TO-92+2000:$0.66
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VN2222LL-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3$0.42000
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VN2222LL-GMICROCHIP(美国微芯)连续漏极电流(Id)(25°C 时):230mA(Tj) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 200mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.34
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