图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.28A,2.8A
栅源极阈值电压1V @ 100uA
漏源导通电阻130mΩ @ 500mA,1.8V;220mΩ @ 500mA,1.8V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.24W,1.1W
类型N沟道和P沟道