VBK2298
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 300mA,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:P沟道
VBK2298的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.1A
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻140mΩ @ 300mA,1.8V
最大功率耗散(Ta=25°C)500mW
类型P沟道
VBK2298
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VBK2298 | P-Channel 20 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 653.38 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
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