VBJ2102M的供应商，VBJ2102M规格参数，VBJ2102M的PDF资料

VBJ2102M /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 2A,6V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.5W 类型：P沟道

VBJ2102M的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）-100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）3A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻230mΩ @ 2A,6V

最大功率耗散（Ta=25°C）6.5W

类型P沟道

VBJ2102M

VBJ2102M的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
集好芯城	VBJ2102M	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市芯幂科技有限公司	VBJ2102M	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	VBJ2102M	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBJ2102M	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市仓实科技有限公司	VBJ2102M	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	VBJ2102M	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBJ2102M	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBJ2102M	P-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		637.7 Kbytes	共8页		无

VBJ2102M的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	VBJ2102M	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 2A,6V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.5W 类型：P沟道	1+:￥1.88 10+:￥1.35 30+:￥1.25 100+:￥1.16 500+:￥1.11 1000+:￥1.09

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