VBJ2658
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):10.4W 类型:P沟道
VBJ2658的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻65mΩ @ 2A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)10.4W
类型P沟道
VBJ2658
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