VBA2317
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W(Tc) 类型:P沟道
VBA2317的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻18mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)4.2W(Tc)
类型P沟道
VBA2317
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VBA2317 | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 608.44 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
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 立创商城 | VBA2317 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W(Tc) 类型:P沟道 | 1+:¥2.05 10+:¥1.51 30+:¥1.41 100+:¥1.31 500+:¥1.27 1000+:¥1.25
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 立创商城 | VBA2317A | VBsemi(台湾微碧) | 预售晶体管 | 1+:¥0.8439 200+:¥0.326579 500+:¥0.315102 1000+:¥0.30943
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