VBA2107
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 600uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 14A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:P沟道
VBA2107的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-12V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A
栅源极阈值电压1V @ 600uA
漏源导通电阻5mΩ @ 14A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)-
类型P沟道
VBA2107
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VBA2107 | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 439.0 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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