VBA1630
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 4.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W(Tc) 类型:N沟道
VBA1630的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7.6A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻30mΩ @ 4.6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)5W(Tc)
类型N沟道
VBA1630
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| VBA1630 | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 593.31 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
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 立创商城 | VBA1630 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 4.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.6275 10+:¥1.2039 30+:¥1.1261 100+:¥1.0483 500+:¥1.0137 1000+:¥0.9967
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