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VBA2309 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):13.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W(Tc) 类型:P沟道
VBA2309的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)13.5A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻7mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)5W(Tc)

类型P沟道

供应商VBA2309
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VBA2309VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):13.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W(Tc) 类型:P沟道1+:¥2.71
10+:¥2
30+:¥1.87
100+:¥1.74
500+:¥1.68
1000+:¥1.65
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