FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源电压(Vdss)12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)4A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)67 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)486pF @ 10V
功率 - 最大值2.3W
工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装6-HUSON(2x2)
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs