FET 类型P 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）11.3nC @ 4.5V

Vgs（最大值）±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1260pF @ 10V

功率耗散（最大值）2.5W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）59 毫欧 @ 3.5A，1.8V

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装6-HUSON（2x2）

封装/外壳6-PowerWDFN

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs