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UMW1N60G /连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
UMW1N60G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)1A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻11Ω @ 500mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)-

类型N沟道

供应商UMW1N60G
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深圳市芯幂科技有限公司UMW1N60G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405+86-13267088774(微信同号)李昊skype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:lihao@xinmisc.com询价
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UMW1N60G连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道UMW(友台半导体)UMW(友台半导体)的LOGO1.51 Mbytes共9页UMW1N60G的PDF下载地址
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UMW1N60GUMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道5+:¥0.491462
50+:¥0.356467
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500+:¥0.306877
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