TSF4N90M
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道
TSF4N90M的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）900V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A(Tc)
栅源极阈值电压5V @ 250uA
漏源导通电阻4.2Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）40W(Tc)
类型N沟道
TSF4N90M
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| TSF4N90M | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道 | Truesemi(信安) |  | 1.56 Mbytes | 共6页 |  | 无 |
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10+:￥1.68
30+:￥1.58
100+:￥1.47
500+:￥1.43
1000+:￥1.41
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