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TSF18N60MR /连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道
TSF18N60MR的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)18A(Tc)

栅源极阈值电压5V @ 250uA

漏源导通电阻450mΩ @ 9A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)40W(Tc)

类型N沟道

供应商TSF18N60MR
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集好芯城TSF18N60MR深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市芯幂科技有限公司TSF18N60MR深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
万三科技(深圳)有限公司TSF18N60MR深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
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TSF18N60MR连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道Truesemi(信安)Truesemi(信安)的LOGO896.20 Kbytes共6页TSF18N60MR的PDF下载地址
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TSF18N60MRTruesemi(信安)连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.71
10+:¥2.68
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100+:¥2.3
500+:¥2.22
1000+:¥2.18