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TSF16N65MR /连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道
TSF16N65MR的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)16A(Tc)

栅源极阈值电压5V @ 250uA

漏源导通电阻520mΩ @ 8A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)40W(Tc)

类型N沟道

供应商TSF16N65MR
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TSF16N65MR连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道Truesemi(信安)Truesemi(信安)的LOGO777.95 Kbytes共7页TSF16N65MR的PDF下载地址
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TSF16N65MRTruesemi(信安)连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道1+:¥4.15
10+:¥3.11
30+:¥2.91
100+:¥2.72
500+:¥2.64
1000+:¥2.59