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TSF18N50MR /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：320mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38.5W(Tc) 类型：N沟道

TSF18N50MR的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）500V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）18A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻320mΩ @ 9A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）38.5W(Tc)

类型N沟道

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TSF18N50MR	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：320mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38.5W(Tc) 类型：N沟道	Truesemi(信安)		970.73 Kbytes	共7页		无

TSF18N50MR的全球分销商及价格

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立创商城	TSF18N50MR	Truesemi(信安)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：320mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38.5W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥3.68 10+:￥2.66 30+:￥2.47 100+:￥2.28 500+:￥2.2 1000+:￥2.16

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