图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)18A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻170mΩ @ 9A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)35W
类型N沟道