TPN6R303NC,LQ(S
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 200uA 漏源导通电阻:6.3mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):19W(Tc) 类型:N沟道
TPN6R303NC,LQ(S的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)20A
栅源极阈值电压2.3V @ 200uA
漏源导通电阻6.3mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)19W(Tc)
类型N沟道
TPN6R303NC,LQ(S
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TPN6R303NC,LQ(S | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 200uA 漏源导通电阻:6.3mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):19W(Tc) 类型:N沟道 | TOSHIBA(东芝) |  | 233.30 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
TPN6R303NC,LQ(S的全球分销商及价格
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 立创商城 | TPN6R303NC,LQ(S | TOSHIBA(东芝) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 200uA 漏源导通电阻:6.3mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):19W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.0715 10+:¥0.8116 30+:¥0.7638 100+:¥0.7161 500+:¥0.6949 1000+:¥0.6844
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