TPN2R203NC,L1Q的供应商，TPN2R203NC,L1Q规格参数，TPN2R203NC,L1Q的PDF资料

TPN2R203NC,L1Q /MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V

TPN2R203NC,L1Q的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSON-Advance-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:45 A

Rds On-漏源导通电阻:1.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:34 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:42 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

高度:0.85 mm

长度:3.1 mm

系列:TPN2R203NC

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.1 mm

商标:Toshiba

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

TPN2R203NC,L1Q

TPN2R203NC,L1Q的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
北京芯时代电子科技发展有限公司	TPN2R203NC,L1Q	北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座602	13261242936 13261242936	王静	询价
深圳市芯幂科技有限公司	TPN2R203NC,L1Q	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市雄创芯业电子科技有限公司	TPN2R203NC,L1Q	深圳市龙岗区吉星花园7栋306	13631670223	徐小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	TPN2R203NC,L1Q	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市坤融电子有限公司	TPN2R203NC,L1Q	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
集好芯城	TPN2R203NC,L1Q	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	TPN2R203NC,L1Q	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	TPN2R203NC,L1Q	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
集好芯城	TPN2R203NC,L1Q	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	TPN2R203NC,L1Q	深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋603	0755-82777855,0755-82702619 13510175077	刘先生,李小姐	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	TPN2R203NC,L1Q(M	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司	TPN2R203NC,L1Q	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	TPN2R203NC,L1Q	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市赛美科科技有限公司	TPN2R203NC,L1Q	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市凌特半导体科技有限公司	TPN2R203NC,L1Q	广东省深圳市华康大夏2栋210-219室	0755-82714723 13923432237	谢先生	询价
深圳市高捷半导体有限公司	TPN2R203NC,L1Q	深圳市福田区航都大厦10层	13380394549 13380394549	颜小姐	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	TPN2R203NC,L1Q	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	TPN2R203NC,L1Q	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	TPN2R203NC,L1Q	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市鑫智腾创科技有限公司	TPN2R203NC,L1Q(M	深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-8	13066809747 13066809747	李小姐	询价

TPN2R203NC,L1Q及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
TPN2R203NC,L1Q	MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V	Toshiba	262.84 Kbytes	共9页	无
TPN2R203NC,L1Q	MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON	Toshiba Semiconductor and Storage	262.84 Kbytes	共9页	无
TPN2R203NC,L1Q	MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON	Toshiba Semiconductor and Storage	262.84 Kbytes	共9页	无
TPN2R203NC,L1Q(M	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 500uA 漏源导通电阻：2.2mΩ @ 22.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：700mW 类型：N沟道	TOSHIBA(东芝)	266.10 Kbytes	共9页	无

TPN2R203NC,L1Q的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
ChipOneStop	TPN2R203NC,L1Q	Toshiba America Electronic Components, Inc.	FET - 单 - 分立半导体产品	1+:￥8.29 10+:￥7.3501 25+:￥6.64 100+:￥5.81 250+:￥5.09 500+:￥4.5199 1000+:￥3.57 2500+:￥3.325000+:￥3.13 10000+:￥3.05 25000+:￥2.95 50000+:￥2.895000+:￥1.29
Digi-Key 得捷电子	TPN2R203NC,L1Q	Toshiba America Electronic Components, Inc.	FET - 单 - 分立半导体产品	1+:￥8.29 10+:￥7.3501 25+:￥6.64 100+:￥5.81 250+:￥5.09 500+:￥4.5199 1000+:￥3.57 2500+:￥3.32
Digi-Key 得捷电子	TPN2R203NC,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON	$1.15000
Mouser 贸泽电子	TPN2R203NC,L1Q	Toshiba America Electronic Components, Inc.	FET - 单 - 分立半导体产品	1+:￥8.29 10+:￥7.3501 25+:￥6.64 100+:￥5.81 250+:￥5.09 500+:￥4.5199 1000+:￥3.57 2500+:￥3.325000+:￥3.13 10000+:￥3.05 25000+:￥2.95 50000+:￥2.89
Mouser 贸泽电子	TPN2R203NC,L1Q	Toshiba	MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V	5,000:¥3.2431 10,000:¥3.1188 25,000:¥3.0284
Verical	TPN2R203NC,L1Q	Toshiba America Electronic Components, Inc.	FET - 单 - 分立半导体产品	1+:￥8.29 10+:￥7.3501 25+:￥6.64 100+:￥5.81 250+:￥5.09 500+:￥4.5199 1000+:￥3.57 2500+:￥3.325000+:￥3.13 10000+:￥3.05 25000+:￥2.95 50000+:￥2.895000+:￥1.291+:￥1.1799
立创商城	TPN2R203NC,L1Q(M	TOSHIBA(东芝)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 500uA 漏源导通电阻：2.2mΩ @ 22.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：700mW 类型：N沟道	1+:￥2.45 10+:￥1.81 30+:￥1.69 100+:￥1.57 500+:￥1.52 1000+:￥1.5

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