TPN2R203NC,L1Q(M
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 500uA 漏源导通电阻:2.2mΩ @ 22.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道
TPN2R203NC,L1Q(M的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)45A(Tc)
栅源极阈值电压2.3V @ 500uA
漏源导通电阻2.2mΩ @ 22.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)700mW
类型N沟道
TPN2R203NC,L1Q(M
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TPN2R203NC,L1Q(M | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 500uA 漏源导通电阻:2.2mΩ @ 22.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道 | TOSHIBA(东芝) |  | 266.10 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
TPN2R203NC,L1Q(M的全球分销商及价格
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 立创商城 | TPN2R203NC,L1Q(M | TOSHIBA(东芝) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 500uA 漏源导通电阻:2.2mΩ @ 22.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道 | 1+:¥2.45 10+:¥1.81 30+:¥1.69 100+:¥1.57 500+:¥1.52 1000+:¥1.5
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