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TPN5900CNH,L1Q /MOSFET UMOSVIII 150V 59mOhm (VGS=10V) TSON-ADV
TPN5900CNH,L1Q的规格信息
TPN5900CNH,L1Q的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSON-Advance-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:18 A

Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:39 W

配置:Triple

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.85 mm

长度:3.1 mm

系列:TPN5900CNH

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.1 mm

商标:Toshiba

下降时间:4.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5.2 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:14 ns

供应商TPN5900CNH,L1Q
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北京芯时代电子科技发展有限公司TPN5900CNH,L1Q北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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王静Email:wangjing@chipspower.com询价
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TPN5900CNH,L1Q的全球分销商及价格
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TPN5900CNH,L1QToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥9.23
10+:¥8.14
25+:¥7.3501
100+:¥6.43
250+:¥5.64
500+:¥5
1000+:¥3.96
2500+:¥3.68
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TPN5900CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 150V 9A 8TSON$1.27000
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10:¥7.5484
100:¥5.7969
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5,000:¥3.5934
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10000+:¥3.38
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50000+:¥3.2