销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | TPN11003NL,LQ | Toshiba America Electronic Components, Inc. | FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V | 3000+:¥1.64 6000+:¥1.54 15000+:¥1.4801 30000+:¥1.42 75000+:¥1.39 150000+:¥1.36 |
 Digi-Key 得捷电子 | TPN11003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV | $0.64000 |
 Mouser 贸泽电子 | TPN11003NL,LQ | Toshiba | MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V | 1:¥4.8364 10:¥3.7177 100:¥2.3956 1,000:¥1.921 3,000:¥1.6159
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 Mouser 贸泽电子 | TPN11003NL,LQ | Toshiba America Electronic Components, Inc. | FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V | 3000+:¥1.64 6000+:¥1.54 15000+:¥1.4801 30000+:¥1.42 75000+:¥1.39 150000+:¥1.361+:¥3.71 10+:¥2.88 100+:¥1.8599 1000+:¥1.71 3000+:¥1.54 9000+:¥1.53 24000+:¥1.47 45000+:¥1.45 99000+:¥1.42 |
 立创商城 | TPN11003NL,LQ | TOSHIBA(东芝) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 100uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):19W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥7.42 10+:¥5.52 30+:¥5.17 100+:¥4.82 500+:¥4.66 1000+:¥4.58
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