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TPN11006NL,LQ /MOSFET U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET
TPN11006NL,LQ的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSON-Advance-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:37 A

Rds On-漏源导通电阻:17 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:23 nC

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.85 mm

长度:3.1 mm

系列:TPN11006NL

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.1 mm

商标:Toshiba

下降时间:7.1 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:11 ns

单位重量:20 mg

供应商TPN11006NL,LQ
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北京芯时代电子科技发展有限公司TPN11006NL,LQ北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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深圳市芯幂科技有限公司TPN11006NL,LQ深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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集好芯城TPN11006NL,LQ深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市拓亿芯电子有限公司TPN11006NL,LQ深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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TPN11006NL,LQMOSFET N-CH 60V 17A 8TSONToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO234.51 Kbytes共9页TPN11006NL,LQ的PDF下载地址
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TPN11006NL,LQ连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 200uA 漏源导通电阻:11.4mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO234.51 Kbytes共9页TPN11006NL,LQ的PDF下载地址
TPN11006NL,LQ的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
TPN11006NL,LQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥2.27
6000+:¥2.12
15000+:¥2.03
30000+:¥1.95
75000+:¥1.92
150000+:¥1.87
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Digi-Key 得捷电子
TPN11006NL,LQToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 60V 17A 8TSON$0.89000
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Mouser 贸泽电子
TPN11006NL,LQToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET1:¥7.684
10:¥5.9212
100:¥3.8194
1,000:¥3.0623
3,000:¥2.5764
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Mouser 贸泽电子
TPN11006NL,LQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥2.27
6000+:¥2.12
15000+:¥2.03
30000+:¥1.95
75000+:¥1.92
150000+:¥1.871+:¥5.1
10+:¥3.98
100+:¥2.57
1000+:¥2.3499
3000+:¥2.13
9000+:¥2.1
24000+:¥2.03
45000+:¥1.9901
99000+:¥1.96
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立创商城
TPN11006NL,LQTOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 200uA 漏源导通电阻:11.4mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.09
10+:¥3.01
30+:¥2.96
100+:¥2.9