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TN0200T / MOSFET 20V 1.2A 0.35W
TN0200T的规格信息
TN0200T的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:否

Id-连续漏极电流:730 mA

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Rds On-漏源导通电阻:400 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :8 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:350 mW

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:14 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:14 ns

工厂包装数量:1000

典型关闭延迟时间:21 ns

典型接通延迟时间:8 ns

供应商TN0200T
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TN0200TSpecification Comparison TN0200K vs. TN0200T VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO32.04 Kbytes共1页TN0200T的PDF下载地址SI5402BDC,SI7840BDP,SI7868ADP,TP0101K,72893,SI6880AEDQ,SI7900,SI5404BDC,SI3850ADV,DMF5010NB-FW
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