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TN0106N3-G /MOSFET 60V 3Ohm
TN0106N3-G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:350 mA

Rds On-漏源导通电阻:3 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Bulk

高度:5.33 mm

长度:5.21 mm

晶体管类型:1 N-Channel

类型:FET

宽度:4.19 mm

商标:Microchip Technology

正向跨导 - 最小值:225 mS

下降时间:3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:6 ns

典型接通延迟时间:2 ns

单位重量:453.600 mg

供应商TN0106N3-G
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集好芯城TN0106N3-G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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芯莱德电子(香港)有限公司TN0106N3-G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市辉华拓展电子有限公司TN0106N3-G深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司TN0106N3-G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市凌特半导体科技有限公司TN0106N3-G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237
谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司TN0106N3-G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司TN0106N3-G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
13510175077
刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
京海半导体(深圳)有限公司TN0106N3-G坂田街道五和大道山海大厦C栋70613424293273
13424293273
熊小姐Email:jinghai0929@163.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司TN0106N3-G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
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TN0106N3-G P005MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFETMicrochip TechnologyMicrochip Technology的LOGO592.60 Kbytes共5页TN0106N3-G P005的PDF下载地址
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TN0106N3-G的全球分销商及价格
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Allied Electronics
TN0106N3-GMicrochip Technology Inc.MOSFET; N-CHANNEL ENCHANCEMENT-MODE; 60V; 3.0 Ohm3 TO-92BAG+1000:$1.09
+50000:$1.06
+100000:$1.03
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TN0106N3-G-P003Microchip Technology Inc.MOSFET; N-CHANNEL ENCHANCEMENT-MODE; 60V; 3.0 Ohm3 TO-92T/R+2000:$0.77
+100000:$0.75
+200000:$0.72
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TN0106N3-G-P013Microchip Technology Inc.MOSFET; N-CHANNEL ENCHANCEMENT-MODE; 60V; 3.0 Ohm3 TO-92AMMO+2000:$1.21
+100000:$1.18
+200000:$1.14
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TN0106N3-GMicrochip Technology IncMOSFET, N-CHANNEL ENCHANCEMENT-MODE, 60V, 3.0 OHM - Bag2,000 : $0.56
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TN0106N3-GMicrochip Technology IncMOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3100 : $0.56
25 : $0.62
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TN0106N3-G-P013Microchip TechnologyMOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3$0.69000
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TN0106N3-GMicrochip Technology IncN-Channel 60 V 2 A 3 O 1 W Through Hole Enhancement Mode MosFet TO-92
RoHS : Compliant
1,000 : $0.38
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TN0106N3-GSupertex Inc250 : $0.4
500 : $0.373
1,000 : $0.35
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TN0106N3-GMicrochip Technology IncMOSFET N-CHANNEL ENCHANCEMENT-MODE 60V 3.0 Ohm1,000 : $0.47
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TN0106N3-GMicrochip TechnologyMOSFET 60V 3Ohm1:¥5.763
10:¥5.6952
25:¥4.8251
100:¥4.3505
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Mouser 贸泽电子
TN0106N3-G P002Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET1:¥7.5258
10:¥6.3054
25:¥5.2206
100:¥4.7686
2,000:¥3.0736
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Mouser 贸泽电子
TN0106N3-G P005Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET1:¥7.5258
10:¥6.3054
25:¥5.2206
100:¥4.7686
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TN0106N3-G-P003Microchip TechnologyMOSFET N-Channel DMOS FET Low Threshold 2.0V1:¥6.4523
10:¥6.3958
25:¥5.3788
100:¥4.9042
2,000:¥3.3448
4,000:查看
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TN0106N3-G-P013Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET1:¥6.4523
10:¥6.3958
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TN0106N3-GMicrochip Technology IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92$0.3726
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TN0106N3-GMICROCHIP(美国微芯)连续漏极电流(Id)(25°C 时):350mA(Tj) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 500uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 250mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W(Tc) 类型:N沟道1+:¥7.21
10+:¥5.29
30+:¥4.93
100+:¥4.58
500+:¥4.42
1000+:¥4.35
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TN0106N3-G-P003MICROCHIP(美国微芯)预售MCU1+:¥15
200+:¥5.81
500+:¥5.6
1000+:¥5.5
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TN0106N3-G-P013MICROCHIP(美国微芯)预售MCU1+:¥15
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1000+:¥5.5