TN0110N3-G的供应商，TN0110N3-G规格参数，TN0110N3-G的PDF资料

TN0110N3-G /MOSFET 100V 3Ohm

TN0110N3-G的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:350 mA

Rds On-漏源导通电阻:3 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Bulk

高度:5.33 mm

长度:5.21 mm

晶体管类型:1 N-Channel

类型:FET

宽度:4.19 mm

商标:Microchip Technology

正向跨导 - 最小值:225 mS

下降时间:3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:6 ns

典型接通延迟时间:2 ns

单位重量:453.600 mg

TN0110N3-G

TN0110N3-G的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市佳威星科技有限公司	TN0110N3-G	深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C	0755-83045910 13724343501	胡小姐	询价
深圳市芯幂科技有限公司	TN0110N3-G	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	TN0110N3-G	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市坤融电子有限公司	TN0110N3-G	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	TN0110N3-G	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
集好芯城	TN0110N3-G	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	TN0110N3-G	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
集好芯城	TN0110N3-G	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	TN0110N3-G	深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋603	0755-82777855,0755-82702619 13510175077	刘先生,李小姐	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	TN0110N3-G	深圳市福田区航都大厦25F	0755-83289799 18129819897	蔡小姐	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	TN0110N3-G-P002	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	TN0110N3-G	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	TN0110N3-G	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市赛美科科技有限公司	TN0110N3-G	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市凌特半导体科技有限公司	TN0110N3-G	广东省深圳市华康大夏2栋210-219室	0755-82714723 13923432237	谢先生	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	TN0110N3-G	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市高捷半导体有限公司	TN0110N3-G	深圳市福田区航都大厦10层	13380394549 13380394549	颜小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	TN0110N3-G	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	TN0110N3-G	华强北现代之窗A 9D	0755-23903154 13430590551	杨晓芳	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	TN0110N3-G	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价

TN0110N3-G及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
TN0110N3-G	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	SUTEX[Supertex, Inc]	635.8 Kbytes	共5页	无
TN0110N3-GP002	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	SUTEX[Supertex, Inc]	635.8 Kbytes	共5页	无
TN0110N3-G-P002	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	Microchip Technology	608.91 Kbytes	共5页	无
TN0110N3-G-P002	MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3	Microchip Technology	754.36 Kbytes	共14页	无
TN0110N3-G-P002	MOSFET; N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE; 100V; 3.0 Ohm3 TO-92RVT/R	Microchip Technology Inc.	754.36 Kbytes	共14页	无
TN0110N3-GP003	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	SUTEX[Supertex, Inc]	635.8 Kbytes	共5页	无
TN0110N3-GP005	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	SUTEX[Supertex, Inc]	635.8 Kbytes	共5页	无
TN0110N3-GP013	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	SUTEX[Supertex, Inc]	635.8 Kbytes	共5页	无
TN0110N3-GP014	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET	SUTEX[Supertex, Inc]	635.8 Kbytes	共5页	无

TN0110N3-G的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Allied Electronics	TN0110N3-G	Microchip Technology Inc.	MOSFET; N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE; 100V; 3.0 Ohm3 TO-92BAG	+1:$2.05 +10:$1.79 +25:$1.53 +100:$1.38
Allied Electronics	TN0110N3-G-P002	Microchip Technology Inc.	MOSFET; N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE; 100V; 3.0 Ohm3 TO-92RVT/R	+2000:$0.90 +100000:$0.89 +200000:$0.86
Digi-Key 得捷电子	TN0110N3-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3	$0.98000
Digi-Key 得捷电子	TN0110N3-G-P002	Microchip Technology	MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3	$0.81000
Mouser 贸泽电子	TN0110N3-G	Microchip Technology	MOSFET 100V 3Ohm	1:¥6.8365 10:¥6.78 25:¥5.7065 100:¥5.1415
Mouser 贸泽电子	TN0110N3-G-P002	Microchip Technology	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	1:¥7.458 10:¥7.4128 25:¥6.2489 100:¥5.6952 2,000:¥3.8872 4,000:查看
立创商城	TN0110N3-G	MICROCHIP(美国微芯)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：350mA 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2V @ 500uA 漏源导通电阻：4.5Ω @ 250mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥14.3 10+:￥10.68 30+:￥10.01 100+:￥9.34 500+:￥9.05 1000+:￥8.9
立创商城	TN0110N3-G-P002	MICROCHIP(美国微芯)	预售MCU	1+:￥17.42 200+:￥6.74 500+:￥6.51 1000+:￥6.39

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