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TN0104N8 / MOSFET 40V 2Ohm
TN0104N8的规格信息
TN0104N8的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Microchip Technology

Id-连续漏极电流:630 mA

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.6 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-89-3

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:7 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:7 ns

工厂包装数量:2000

典型关闭延迟时间:6 ns

典型接通延迟时间:3 ns

供应商TN0104N8
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深圳市宇浩扬科技有限公司TN0104N8-G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市芯幂科技有限公司TN0104N8-G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城TN0104N8-G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司TN0104N8-G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市高捷芯城科技有限公司TN0104N8-G深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司TN0104N8-G深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
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深圳市坤融电子有限公司TN0104N8航都大厦10I0755-23990975
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深圳市河锋鑫科技有限公司TN0104N8-G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
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深圳市芯泽盛世科技有限公司TN0104N8-G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司TN0104N8-G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市拓亿芯电子有限公司TN0104N8-G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
京海半导体(深圳)有限公司TN0104N8-G坂田街道五和大道山海大厦C栋70613424293273
13424293273
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深圳市斌腾达科技有限公司TN0104N8-G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市博浩通科技有限公司TN0104N8-G华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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TN0104N8N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs SUTEX[Supertex, Inc]SUTEX[Supertex, Inc]的LOGO45.83 Kbytes共4页TN0104N8的PDF下载地址TN0702,VN0204N6,TN1506,TN2106,VN1550,TN2124,VN2106,VN0650,TN2130,VN0300
TN0104N8-GMOSFET 40V 2OhmMicrochip TechnologyMicrochip Technology的LOGO666.78 Kbytes共7页TN0104N8-G的PDF下载地址
TN0104N8-GMOSFET N-CH 40V 630MA TO243AAMicrochip TechnologyMicrochip Technology的LOGO358.96 Kbytes共14页TN0104N8-G的PDF下载地址
TN0104N8-G连续漏极电流(Id)(25°C 时):630mA(Tj) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:1.6V @ 500uA 漏源导通电阻:2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.6W(Tc) 类型:N沟道MICROCHIP(美国微芯)MICROCHIP(美国微芯)的LOGO666.78 Kbytes共7页TN0104N8-G的PDF下载地址
TN0104N8-GMOSFET; N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE; 40V; 2.0 Ohm3 SOT-89T/RMicrochip Technology Inc.Microchip Technology Inc.的LOGO358.96 Kbytes共14页TN0104N8-G的PDF下载地址
TN0104N8的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
TN0104N8-GMicrochip Technology Inc.MOSFET; N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE; 40V; 2.0 Ohm3 SOT-89T/R+2000:$1.05
+100000:$1.02
+200000:$0.99
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)
TN0104N8Supertex IncTrans MOSFET N-CH 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89
RoHS : Not compliant
100 : $0.9309
250 : $0.8702
500 : $0.7785
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Chip1Stop
TN0104N8Supertex IncTrans MOSFET N-CH 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-895 : $1.07
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
TN0104N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA$1.11000
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Mouser 贸泽电子
TN0104N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 40V 2Ohm1:¥8.2942
10:¥8.2264
25:¥6.8817
100:¥6.2602
2,000:¥4.3166
4,000:查看
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Quest Components
TN0104N8Supertex Inc MOSFET Transistor, N-Channel, TO-243AA55 : $0.84
16 : $1.4
1 : $2.24
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立创商城
TN0104N8-GMICROCHIP(美国微芯)连续漏极电流(Id)(25°C 时):630mA(Tj) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:1.6V @ 500uA 漏源导通电阻:2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.6W(Tc) 类型:N沟道1+:¥10.83
10+:¥8.12
30+:¥7.63
100+:¥7.13
500+:¥6.91
1000+:¥6.8