TK32E12N1,S1X的供应商，TK32E12N1,S1X规格参数，TK32E12N1,S1X的PDF资料

TK32E12N1,S1X /MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC

TK32E12N1,S1X的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:120 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:34 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:98 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

高度:15.1 mm

长度:10.16 mm

系列:TK32E12N1

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.45 mm

商标:Toshiba

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:43 ns

典型接通延迟时间:33 ns

单位重量:6 g

TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
北京芯时代电子科技发展有限公司	TK32E12N1,S1X	北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座602	13261242936 13261242936	王静	询价
深圳市芯幂科技有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市坤融电子有限公司	TK32E12N1,S1X(S	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市高捷半导体有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区航都大厦10层	13380394549 13380394549	颜小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
上海三崧电子有限公司	TK32E12N1,S1X	上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层	13818988389 17621743344	樊勉	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	TK32E12N1,S1X	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
集好芯城	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
集好芯城	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市赛美科科技有限公司	TK32E12N1,S1X	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市雄创芯业电子科技有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市龙岗区吉星花园7栋306	13631670223	徐小姐	询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	TK32E12N1,S1X	广东省深圳市华康大夏2栋210-219室	0755-82714723 13923432237	谢先生	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	TK32E12N1,S1X	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	TK32E12N1,S1X(S	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-21006672 18188642307	王小康	询价

TK32E12N1,S1X及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
TK32E12N1,S1X	MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC	Toshiba	253.88 Kbytes	共9页	无
TK32E12N1,S1X	MOSFET N CH 120V 60A TO-220	Toshiba Semiconductor and Storage	252.72 Kbytes	共9页	无
TK32E12N1,S1X	MOSFET N CH 120V 60A TO-220	Toshiba Semiconductor and Storage	252.72 Kbytes	共9页	无
TK32E12N1,S1X	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 500uA 漏源导通电阻：13.8mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：98W(Tc) 类型：N沟道	TOSHIBA(东芝)	252.72 Kbytes	共9页	无
TK32E12N1,S1X(S	功率场效应管, MOSFET, N通道, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, 通孔	TOSHIBA	252.72 Kbytes	共9页	无

TK32E12N1,S1X的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	TK32E12N1,S1X	Toshiba America Electronic Components, Inc.	FET - 单 - 分立半导体产品半导体 MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC	1+:￥10.26 10+:￥9.08 25+:￥8.21 100+:￥7.1801 250+:￥6.3 500+:￥5.57 1000+:￥4.4 2500+:￥4.11
Digi-Key 得捷电子	TK32E12N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 120V 60A TO-220	$1.46000
Mouser 贸泽电子	TK32E12N1,S1X	Toshiba	MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC	1:¥10.8367 10:¥8.6784 50:¥8.6784 100:¥6.667 500:¥5.8873
Mouser 贸泽电子	TK32E12N1,S1X	Toshiba America Electronic Components, Inc.	FET - 单 - 分立半导体产品半导体 MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC	1+:￥10.26 10+:￥9.08 25+:￥8.21 100+:￥7.1801 250+:￥6.3 500+:￥5.57 1000+:￥4.4 2500+:￥4.111+:￥8.45 10+:￥6.73 100+:￥5.17 500+:￥4.58 1000+:￥4.34 2500+:￥3.98 10000+:￥3.88 25000+:￥3.79 50000+:￥3.83
立创商城	TK32E12N1,S1X	TOSHIBA(东芝)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 500uA 漏源导通电阻：13.8mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：98W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥15.92 10+:￥13.63 30+:￥13.21 100+:￥12.79 500+:￥12.6 1000+:￥12.37

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