销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | TK31N60W,S1VF | Toshiba America Electronic Components, Inc. | FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF | 1+:¥61.46 10+:¥55.31 50+:¥50.4 100+:¥45.48 250+:¥41.7899 500+:¥38.1099 1000+:¥33.19 2500+:¥31.96 5000+:¥30.7301 |
 Digi-Key 得捷电子 | TK31N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 30.8A TO247 | $8.85000 |
 Mouser 贸泽电子 | TK31N60W,S1VF | Toshiba | MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF | 1:¥71.4612 10:¥65.088 25:¥58.6244 100:¥48.1041
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 Mouser 贸泽电子 | TK31N60W,S1VF | Toshiba America Electronic Components, Inc. | FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF | 1+:¥61.46 10+:¥55.31 50+:¥50.4 100+:¥45.48 250+:¥41.7899 500+:¥38.1099 1000+:¥33.19 2500+:¥31.96 5000+:¥30.73011+:¥49.03 10+:¥44.14 25+:¥40.0901 100+:¥36.36 250+:¥36.36 500+:¥36.36 1000+:¥33.38 2500+:¥33.05 5000+:¥32.02 |
 立创商城 | TK31N60W,S1VF(S | TOSHIBA(东芝) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:3.7V @ 1.5mA 漏源导通电阻:88mΩ @ 15.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥17.99 10+:¥13.49 30+:¥12.67 100+:¥11.84 500+:¥11.47 1000+:¥11.29
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