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TK31A60W,S4VX /MOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC
TK31A60W,S4VX的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:30.8 A

Rds On-漏源导通电阻:73 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:86 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:TK31A60W

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:8.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:32 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:165 ns

典型接通延迟时间:70 ns

单位重量:6 g

供应商TK31A60W,S4VX
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13332931905
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北京芯时代电子科技发展有限公司TK31A60W,S4VX北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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13380394549
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TK31A60W,S4VX的全球分销商及价格
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TK31A60W,S4VXToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC50+:¥44.58
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TK31A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS$6.74240
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TK31A60W,S4VXToshibaMOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC1:¥57.4718
10:¥51.7088
50:¥47.0984
100:¥42.5671
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Mouser 贸泽电子
TK31A60W,S4VXToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC50+:¥44.581+:¥43.32
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25+:¥35.4499
100+:¥32.22
250+:¥32.22
500+:¥32.22
1000+:¥29.5801
2500+:¥29.21
5000+:¥28.3