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TK31N60W,S1VF(S /MOSFET, DTMOS4, 600V/31A, TO247
TK31N60W,S1VF(S的规格信息
TK31N60W,S1VF(S的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

通道类型：N

最大连续漏极电流：31 A

最大漏源电压：600 V

最大漏源电阻值：88 m0hms

最大栅阈值电压：3.7V

最大栅源电压：-30 V、+30 V

封装类型：TO-247

安装类型：通孔

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：230 W

最高工作温度：+150 °C

每片芯片元件数目：1

长度：15.94mm

高度：20.95mm

系列：TK

宽度：5.02mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：86 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：3000 pF @ 300 V

典型关断延迟时间：165 ns

典型接通延迟时间：70 ns

尺寸：15.94 x 5.02 x 20.95mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商TK31N60W,S1VF(S
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TK31N60W,S1VF(S连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30.8A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：3.7V @ 1.5mA 漏源导通电阻：88mΩ @ 15.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：230W(Tc) 类型：N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO255.92 Kbytes共10页TK31N60W,S1VF(S的PDF下载地址无
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立创商城		TK31N60W,S1VF(STOSHIBA(东芝)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30.8A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：3.7V @ 1.5mA 漏源导通电阻：88mΩ @ 15.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：230W(Tc) 类型：N沟道1+:￥17.99
10+:￥13.49
30+:￥12.67
100+:￥11.84
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1000+:￥11.29
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