图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:Toshiba
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-3PN-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:17 A
Rds On-漏源导通电阻:260 mOhms
Pd-功率耗散:190 W
配置:Single
封装:Tube
高度:20 mm
长度:15.5 mm
系列:TK17J65U
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:4.5 mm
商标:Toshiba
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:50
子类别:MOSFETs
单位重量:7 g